フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
イ 紫外線で残内容を消去できる。
ウ 周期的にデータの再書き込みが必要である。
エ ブロック単位で電気的に消去できる。
イ:誤り EPROM に関する記述である。
ウ:誤り DRAM に関する記述である。
エ:正しい。